單靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發的一款高性價比磁控濺射鍍膜設備，經過緊湊化設計，實現了體積與性能的平衡，造型美觀功能齊全。整機均采用觸控屏控制，內置一鍵式鍍膜程序，操作簡單易上手，是一款實驗室制備薄膜的理想設備。

單靶為一支強磁靶，所配電源為 1臺1500W 直流電源，直流電源可用于金屬薄膜的制備。

鍍膜儀配有一路高精度質量流量計，客戶若另有需求可以定制至多四路質量流量計的氣路，以滿足復雜的氣體環境構建需求；儀器標配先進的渦輪分子泵組，極限真空可達 1.0E-5Pa，同時另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個電磁閥控制，可以實現在不關泵的情況下打開腔體取出樣品，大大提高了您的工作效率。本產品可以選配一體機工控電腦對系統進行控制，在電腦程序上可以實現真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數功能，可以進一步提高您的實驗效率。

應用范圍:

該設備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。

規格參數：

單靶直流磁控濺射鍍膜儀
樣品臺	外形尺寸	Φ360mm
	可調轉速	1-20rpm可調
磁控靶槍	靶材平面	圓形平面靶
	濺射真空	0.1Pa～3Pa
	靶材直徑	100～101.6mm
	靶材厚度	3mm
	絕緣電壓	>2000V
	電纜規格	SL-16
	靶頭溫度	≦65℃
真空腔體	內壁處理	電解拋光
	腔體尺寸	Φ500mm × 500mm
	腔體材料	304不銹鋼
	觀察窗口	石英窗口，直徑φ100mm
	開啟方式	側面開啟
氣體控制	流量控制	質量流量計，量程0～100SCCM
	氣體種類	可選氬氣、氮氣、氧氣等多種氣體
	調節閥類型	電磁調節閥
	調節閥靜止狀態	常閉
	測量線性度	±1.5%F.S
	測量重復精度	±0.2%F.S
	測量響應時間	≤8秒（T95）
	工作壓差范圍	0.3MPa
	閥體耐壓	3MPa
	工作環境溫度	（5～45）℃
	閥體材料	不銹鋼316L
	閥體漏率	1×10-8Pa.m3/s
	管道接頭	1/4″卡套接頭
	輸入輸出信號	0～5V
	供電電源	±15V（±5%）（＋15V  50mA,  －15V  200mA）
	外形尺寸mm	130（寬）×102（高）×28（厚）
	通訊接口	RS485 MODBUS協議
直流電源	電源功率	1500W
膜厚測量	電源要求	DC:5V（±10%） *大電流 400mA
	分辨率	±0.03Hz(5-6MHz),0.0136? /測量(鋁)
	測量精度	±0.5%厚度+1計數
	測量周期	100mS～1S/次（可設置）
	測量范圍	500,000 ? (鋁)
	晶體頻率	6MHz
	通訊接口	RS-232/485串行接口
	顯示位數	8位LED顯示
分子泵	分子泵抽速	1200L/S
	額定轉速	24000rpm
	振動值	≦0.1um
	啟動時間	5min
	停機時間	7min
	冷卻方式	水冷+風冷
	冷卻水溫度	≦37℃
	冷卻水流速	1L/min
	安裝方向	垂直±5°
	抽氣接口	150CF
	排氣接口	KF40
前級泵	抽氣速率	VRD-16
	極限真空	1Pa
	供電電源	AC:220V/50Hz
	電機功率	400W
	噪音	≦56db
	抽氣接口	KF40
	排氣接口	KF25
閥門	閘板閥	真空腔體與分子泵間裝有閘板閥
	切斷閥	分子泵與前級之間裝有切斷閥
	旁抽閥	真空腔體與前級之間裝有旁抽閥
	放氣閥	真空腔體上裝有電磁放氣閥
整機極限真空		≦5×10-4Pa
測試靶材		直徑4英寸厚度3mm的鎳靶材1塊